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企业动态
碳化硅减薄/切割方案
发布日期:08/10/2020 :41:12    点击数:1097

    随着SiC功率器件的应用越来越广泛,SiC衬底材料的加工需求也迅速增长。由于SiC材料超硬的材料特性,传统的研磨切割工艺存在很多缺陷,如产能效率低,成本高、崩边严重等,严重制约着最终器件的良品率及性价比。随着智能手机等终端设备的发展,用于影像传感器的CIS器件需求也越来越旺盛,CIS器件是硅与玻璃键和的复合材料,所以单纯的传统划片方式已经无法满足需求。

 

    基于以上,吉永商事的日本合作伙伴日本三星ダイヤモンド株式会社,英文名称Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd(以下简称MDI),研发出一款新型刀头,针对切割SIC这种硬脆材料上又做了一些质量与技术上的提升,其寿命更长,切割面品质更好。日本MDI公司成立于1935年,在切割刀生产研发上有着悠久的历史,荣获多项专利,相比传统的砂轮切割MDI采用的是划裂方式,优点如下:
1、干式切割加工,无需排放,无需清洗过程;
2、切割速度快,100mm-500mm;
3、刀片寿命长,10000米;
4、不需要贴膜工序;
5、无飞散物污染,减少表面损伤;
6、非切削方式不会造成材料损失,切割道≤15um;
7、可加工材料:SiC、GaN、AIN、LTCC、HTCC、AL20³等复合基板。

 


    MDI可提供玻璃/陶瓷/SiC等脆硬材料的高速切割设备,特别是在CMOS传感器领域,目前索尼、苹果、豪威等均采用的MDI的高速切割方式。

 

    针对碳化硅的研磨,日本OKAMOTO有着丰富的实际经验,该研磨机系统是全自动向下进给式研磨机,用于半导体材料诸如:硅、陶瓷、石英、碳化硅等硬质材料的高精度研磨,兼容加工4”、5”、6”、8”晶圆,不需要更换夹具,设备采用台阶式对中心方式,不同晶圆尺寸切换时,也不需更换对中心台 。加工碳化硅厚度差(TTV)可以做到 ≤1.5μm,在线自动厚度测量,该装置是防水的微电子测量/控制单元,用微加工器来控制测量头,在研磨期间和研磨前测量晶圆厚度,操作界面上显示测量结果,在实际基板厚度条件下产生控制信号。机械精度的调整方法是通过主轴进行调整(独有专利),因为可进行原点定位。设备部件由冈本自产铸金一体化生产,约重3900 Kg,高刚性不会因老化造成精度变化。

 

    吉永商事株式会社作为日本MDI和日本冈本株式会社的中国区一级代理,主要负责中国半导体市场的销售推广及售后服务。除了背面减薄抛光和划片,吉永商事在光通信、射频类芯片,刻蚀、退火、贴膜、激光裂片、扩散、测试分选、外观检查等有着专业的一整套解决方案,欢迎来电垂询。

 

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