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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂）。

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。

该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。

主要特点和优点

最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

优异的均匀性和应力控制

卓越的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统，低的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

PD-220NL设计时尚、紧凑，只需很小的洁净室空间。

双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

应用

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液体前驱体(SN-2)SiNx。

TEOS-SiO2