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AD-230LP是一种原子层沉积（ALD）系统，能够在原子水平上控制薄膜厚度。有机金属原料和氧化剂交替供给反应室，仅通过表面反应进行薄膜沉积。该系统具有负载锁定室，且不向大气开放反应室，因此能够实现薄膜沉积的优良再现性。

AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量级。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø4英寸的晶片。

可以在原子层水平上实现均匀的层控制。

可实现高纵横比结构的共形沉积。

具有优良的平面内均匀性和再现性，实现了稳定的工艺。

采用独特的反应室结构，优化了原料的气路和气体流，抑制了粒子。

通过采用电容耦合等离子体(CCP)系统，使反应室体积最小化，缩短了气体吹扫时间，加快了一个循环的速度。

成膜效率高

通过提供几十毫秒量级的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。

真空清洁，温度不均匀性小

通过紧贴反应室内壁的内壁加热器，抑制反应室的温度不均匀，可获得清洁的真空。

无针孔成膜

由于多种前驱体在反应室中没有混合，因此可以防止颗粒，形成无针孔的薄膜。

氮化膜（AlN、SiN）的形成和低温形成的氧化膜（AlOx、SiO2）。

电子设备的闸门绝缘子

半导体、有机EL等的钝化膜。

半导体激光器的反射面

在MEMS等3D结构上的沉积

石墨烯上的沉积

碳纳米管保护膜粉末涂层

用于下一代功率器件的栅极氧化膜和钝化膜。

在3D结构上形成均匀的薄膜，如MEMS。

激光表面的沉积

碳纳米管的钝化膜