一、设备简介 本装置作为新一代面向功率器件的激光退火装置，可用于SiC欧姆接触的生成，活性化等众多领域。在抑制非照射面温度上升的同时，高温加热SiC界面，并通过OPTSWING（独家高速扫描方式）实现欧姆接触的生成。 二、设备特性 通过搭载OPTSWING系统，驱动光束的移动进行扫描，实现高速扫描与高处理量。 对应范围广，从小片到8寸晶圆均可对应。 搭载Top-hat Beam，确保界面内温度的均匀性。 通过温度模拟技术，将退火条件最优化。 工序气体管控。 各种监控机能（Beam形状等） 三、技术参数 | 设备型号 | SWA-20US | SWA-20US-M | | 激光功率 | 10W | 10W | | 光束尺寸 | Φ100um | Φ100um | | 扫描方法 | Galvano扫描 | Galvano扫描 | | 加工尺寸 | 4-8inch | 10mm～6inch | | 光束模式 | Top-hat | Top-hat | | 晶片搬送 | 全自动（机器人） | 手动 | | 处理能力 | ＞6片@6寸 OVL67/50 | ＞4片@6寸 OVL67/50 | | 监控功能 | 激光功率、能量、光束轮廓 | 能量、光束轮廓 | | 工艺气体 | Air、N2、Ar等 | Air、N2、Ar等 | | 工艺温度 | 室温 | 室温 | | 设备尺寸 | W1450mm×D2900mm×H2300mm | W900mm×D1800mm×H2225mm |
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沪公网安备 31011702002082号 
